독성이 있는 부식성 기체로 반도체 회로를 만들 때 회로 패턴 외에 불필요한 부분을 제거하는 식각공정(Etching)에 사용됩니다. 식각공정은 기체인 불화수소를 낮은 압력과 전기를 이용해 이온으로 분리하는 방식으로 진행됩니다.

이때 이온원자가 감광액이 없는 부분의 산화막과 만나면 휘발성을 띠면서 산화막을 떨어뜨립니다. 이 과정이 끝나면 보호막 역할을 했던 감광액은 제거합니다. 이로써 웨이퍼 위에 회로패턴이 생성되었습니다. 식각공정 이후에는 이온 주입 및 박막 공정, 배선 및 패키징 작업 등을 거쳐 반도체가 완성됩니다.